Stockholm, 5 augusti 2015.- Toshiba introducerar en ny generation Bics Flash-chip
baserade på tredimensionella minnesceller. Nyheten är världens första 256-gigabit 32-gigabyte 48-skikts Bics-enhet
och använder avancerad TLC-teknik med tre bitar per cell. Proverna börjar levereras i september 2015.
48-skikts Bics Flash-minneskretsar
256 gigabit kapacitet™ -innovativ tredimensionell struktur har möjliggjort ökad prestanda och kapacitet för de nya medierna
Bics Flash-chips byggs med hjälp av en avancerad 48-skikts paketeringsprocess, vilket resulterar i betydligt högre minneskapacitet, förbättrad läs- och skrivtillförlitlighet och snabbare drift jämfört med 2D NAND Flash-minnen. Det nya 256-gigabit-chippet passar en rad olika enheter – SSD-enheter, smartphones, surfplattor och minneskort – samt företags-SSD-enheter för datacenter.
Toshiba tillkännagav Bics Flash 2007 och har sedan dess fortsatt att optimera tekniken för massproduktion. Japansk tillverkare förväntar sig att marknaden för flashminne kommer att växa betydligt nästa år och förespråkar därför aktivt en övergång till Bics Flash. De nya chipen innehåller modeller med högsta kapacitet för de mest krävande applikationerna, t.ex. SSD-diskar.
Toshiba förbereder sig för att påbörja massproduktion av Bics Flash i den nya Fab2-anläggningen i Yokkaichi Operations. Byggandet av Fab2-fabriken för flashminneskretsar kommer att slutföras under första halvåret 2023.
Hur påverkar introduktionen av Toshiba’s 256 Gb Bics Flash™-minneskretsar med 48 skikt och 256 lager teknikens prestanda och lagringskapacitet? Finns det några andra liknande produkter på marknaden?